M03700 - SEMI M37 - Test Method for Measuring Etch Pit Density (EPD) in Low Dislocation Density Indium Phosphide Wafers StdPbc-1214 本文書はSafetyBUS pプロトコルの使用を定めてSafetyBUS pネットワーク上の共通デバイス・モデル（CDM）や適切な特定デバイス・モデル（SDM）にて定められた外部から目に見えるデバイス構造や挙動を示す。

本文書はSafetyBUS pプロトコルの使用を定めてSafetyBUS pネットワーク上の共通デバイス・モデル（CDM）や適切な特定デバイス・モデル（SDM）にて定められた外部から目に見えるデバイス構造や挙動を示す。

7-95 (first published)

which includes gases and liquids

Current edition approved by the Japanese Regional Standards Committee on August 3

1  In Test Method 1

M03700 - SEMI M37 - Test Method for Measuring Etch Pit Density (EPD) in Low Dislocation Density Indium Phosphide Wafers StdPbc-1214 本文書はSafetyBUS pプロトコルの使用を定めてSafetyBUS pネットワーク上の共通デバイス・モデル（CDM）や適切な特定デバイス・モデル（SDM）にて定められた外部から目に見えるデバイス構造や挙動を示す。This test method was technically approved by the global Compound Semiconductor Committee and is the direct responsibility of the Japanese Compound Semiconductor Materials Committee. Current edition approved by the Japanese Regional Standards Committee on March 17, 1999. Initially available at www. semi. org April 1999; to be published June 1999. This document provides a method to measure etch pit density (EPD) in low dislocation density InP wafers.